12月4日金河配资，安森美与英诺赛科宣布签署一份谅解备忘录，布局氮化镓（GaN）功率器件市场机遇。安森美预计将于2026年上半年开始提供样品。
安森美企业战略副总裁Antoine Jalabert表示：“随着各行各业电力需求的增长，GaN相比其他材料具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能耗。迄今为止，在低压和中压领域，成本和供应限制了其广泛应用。通过与英诺赛科的合作，我们有望利用业界最大的GaN生产基地，迅速扩大我们面向全球客户的GaN产品交付，推动在主流电力应用中的普及。”
英诺赛科产品与工程高级副总裁孙毅表示：“GaN技术对于改进电子产品、打造更小、更高效的电源系统，节约电力以及减少二氧化碳排放至关重要。”双方合作将在全球范围内扩大和加速GaN电源技术的应用，并依托安森美丰富的产品组合构建系统集成平台。
安森美介绍金河配资，双方合作将首先从40-200V功率器件入手，以提升客户采用率。其中，安森美在集成系统和封装领域的领先优势与英诺赛科成熟的GaN技术和大规模量产能力相结合，为工业、汽车、电信基础设施、消费电子和AI数据中心市场提供高性价比、高效率的GaN产品。
英诺赛科也在12月3日晚间公告了这一战略合作，通过采用公司成熟的8英寸硅基氮化镓工艺，双方将整合英诺赛科成熟先进的氮化镓制造能力及安森美半导体在系统封装与集成等领域的经验和优势，加速推动氮化镓在新能源汽车、人工智能、数据中心、工业等领域的快速落地。此次战略合作有望在未来几年为公司带来数亿美元的氮化镓销售，并为合作双方在上述关键领域的市场开拓与布局带来先机。
GaN半导体器件凭借更高的开关速度、更小的尺寸和更低的能耗，能够在更小的空间内提供更大的功率。由于产品供应和产能不足，GaN在低压和中压领域的应用受限。据统计，预计到2030年，GaN将在全球功率半导体市场占据约29亿美元（11%）的份额，2024—2030年期间复合年增长率预计达42%。
通过此次合作，安森美和英诺赛科加速推进实现更优化的GaN解决方案在全球主流市场的大规模部署。
具体来看，本次合作覆盖多领域的相关产品，其中工业领域包含机器人电机驱动器、太阳能微型逆变器及优化器；汽车领域涵盖DC-DC转换器、同步整流；电信基础设施领域涉及DC-DC转换器与负载点转换器；消费及大众市场领域包含电源、适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、音频设备、轻型电动汽车、电动工具、机器人等；AI数据中心领域则有中间总线转换器、DC-DC转换器、备用电池。
本次合作中，安森美的系统专业知识以及英诺赛科成熟的GaN技术和制造工艺，将实现快速原型制作、加速设计导入，并迅速进入主流市场。另外，依托安森美全球集成与封装经验及英诺赛科成熟的GaN产能，实现真正面向大众市场的规模化生产金河配资，满足大批量产能爬坡需求。通过优化封装、减少元器件数量和简化热管理，实现更紧凑的设计并降低整体系统成本。
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